发布时间：2024-01-03
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2023年12月23日，由世纪电源网主办的"第十四届亚洲电源技术发展论坛深圳峰会"圆满落幕，现场吸引了近3000名行业人士到场，与专家学者，名企代表们共同探讨双碳背景下，层出不穷的新技术、新产品、新方案如何加速消费电子、新能源领域等产业的蓬勃发展。在配套颁奖晚宴上，JN江南·体育注册凭借其在功率器件碳化硅和国产模拟IC领域的突出表现，赢得了业界的高度认可，一举斩获双项荣誉大奖。
功率器件-SiC行业优秀奖
得益于多年的技术沉淀，JN江南·体育注册推出了自研的近百款碳化硅二极管、SiC MOSFET和SiC模块产品，因其器件本身具备耐高频、高效、耐高温、耐高压等优点，已被广泛应用于各种与国民生活息息相关的领域，在新能源汽车中，主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机、充电桩、光伏和风电等领域等都能看到它的身影。
展桌环节，JN江南·体育注册展示了最新的SiC产品图景以及IGBT、超结MOS等行业新品，与会工程师们互相探讨了目前功率器件在快充、光伏逆变器、工业电源等应用表现情况。
国产模拟IC卓越奖-入围奖
作为国内领先的半导体企业，JN江南·体育注册一直致力于功率器件、功率IC的研发和创新，为客户提供高性能、高品质的产品。自研的G2301B芯片是一款为控制 P&N沟道MOSFETs而设计的集成三路 Gate Driver IC。芯片内部有3个半桥驱动模块，可同时驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。G2301B封装为 ESOP16。
芯片特点
内置LDO，带载能力强达100mA
P/N MOS半桥、三路输出 P/N MOS
推荐输入工作电压范围7V~28V
LDO3.3V/5V可选，且具有限流保护
内置过温保护
内置输入欠压保护
内置死区时间
应用领域
电动按摩仪
家电
电动工具
低压风机
水泵控制
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未来，JN江南·体育注册也将继续砥砺前行，不忘初心，朝着低碳化、节能化的目标继续前行，持续加大第三代宽禁带半导体的研发力度，进一步为国产化半导体事业的发展贡献我们的力量。也期待能与更多优质客户一同前行，创造更加美好的未来！
