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Silicon Carbide Power Modules Maximize Active Front End Efficiency
release time:2022-07-01
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半导体制造和组装地点分布在全球各地,并在广泛的公用电压下运行。为了服务于全球市场,向这些应用销售专用设备的 OEM 需要在其设备上提供多种输入电压选项。这就是为什么 Astrodyne TDI (ATDI) 为其新的 Kodiak 电源平台选择 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) MOSFET 的原因。

Kodiak 平台包括采用通用封装的 208/230VAC 和 400/480VAC 输入模型,以消除 ATDI 客户重新设计其系统以在不同地区运行的需要。Wolfspeed 的 SiC MOSFET 采用 TO-263-7 表面贴装封装,具有 650V 和 1200V 系列,使这种设计通用性成为可能。


ATDI 为其新的 KODIAK 电源平台选择了 WOLFSPEED SIC MOSFET,以支持销售具有多种电压输入的专用设备的 OEM。


下一代半导体制造和组装公司正在寻求不同地点的设备通用性,以简化操作并减少新设备合格的时间。这要求设备采用单核设计,但其型号能够处理不同设施的不同公用电压,同时保持符合当地和国际安全和性能标准。Astrodyne TDI 正在与 Wolfspeed 合作利用 SiC 技术来应对支持下一代晶圆厂/组装客户的 OEM 面临的这些挑战。他们的解决方案提供的电力系统在不同的公用电压水平上使用相同的控制和电源拓扑。


灵活性带来强大的可扩展性


ATDI 的电源采用单一的外形尺寸和电源拓扑,简化了将电源集成到工艺和测试设备中的客户的设计和认证过程。这也减轻了晶圆厂/组装终端客户的负担,因为即使他们在不同地点拥有不同市电电压的设施,他们也可以期望设备具有相同的性能。

理想情况下,下一代晶圆厂/组装厂希望为所有地点和设施的后端和前端流程选择一个单一但灵活的电源平台。现在,这可以通过使用 650V 和 1200V SiC MOSFET 使一种拓扑结构能够在 208 至 480VAC 输入范围内工作,而只需进行很小的设计更改。SiC MOSFET 是唯一能够在 208/230V 和 400/480V 电平下实现有源前端和相移全桥拓扑的技术。


ADTI 支持 SIC 的 KODIAK 电源平台是高功率直流系统的理想选择,尤其是在工业和军事应用中。


通过使用 Wolfspeed SiC 技术,ATDI 的 Kodiak 电源平台可以在不同的输入电压下使用相同的电源拓扑,只需简单地切换 SiC 器件、磁性元件和电容器以在不同的电压水平下运行,同时在相同的封装中保持相同的功能。此外,Wolfspeed 具有 650V 和 1200V 额定电压的广泛器件组合允许在每个级别进行设计优化。由于硅 MOSFET 或 GaN 器件的额定电压有限,这种通用性水平是不可能的,由于与 SiC 相比开关损耗要高得多,硅 IGBT 也不是可行的解决方案。  

这种灵活性使客户能够在具有不同输入电压的不同设施和地点使用类似产品。开发和认证时间显着减少,实施也得到简化。通过使用一致的机械外形、电源拓扑和经过审查的接口,OEM 可以节省设计时间,并且最终用户知道他们将在其所有制造场所获得一致的性能。



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